[发明专利]一种晶圆表面加工的方法在审
申请号: | 202010765288.7 | 申请日: | 2020-08-03 |
公开(公告)号: | CN114068298A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 龙命潮 | 申请(专利权)人: | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B24B19/22 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫 |
地址: | 523087 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶圆表面加工的方法,其包括:采用第一目数的砂轮对晶圆的表面进行粗磨,粗磨的深度为预设的第一深度;采用第二目数的砂轮对所述晶圆的表面进行精磨,精磨的深度为预设的第二深度;所述第二深度小于所述第一深度,所述第二目数大于第一目数;用腐蚀液对所述晶圆的表面进行刻蚀,刻蚀的深度为预设的第三深度;所述第三深度小于所述第二深度;所述腐蚀液包括由硝酸、氢氟酸和冰乙酸组成的混酸液。本发明能够在保证晶圆表面光洁度的前提下,用少量的腐蚀液即可对半导体晶圆的表面进行快速刻蚀,能够有效减少晶圆表面加工过程中化学试剂的消耗,并且大大减少晶圆表面加工的作业时间,从而能够大大降低对晶圆表面加工的成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 表面 加工 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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