[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010768535.9 | 申请日： | 2020-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN114068710A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 金吉松 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及半导体结构的形成方法，包括：衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括第二区和第一区，所述衬底第一面上具有第一隔离层；位于衬底第一区内的第一连接层，所述第一连接层从衬底第一面向第二面延伸，且部分所述第一连接层位于所述第一隔离层内；位于第一连接层与衬底之间的第一绝缘层；位于衬底第一区内的第一开口，所述第一开口从衬底第二面向衬底第一面延伸并暴露出部分所述第一隔离层的表面，所述第一开口暴露出所述第一连接层表面的第一绝缘层；位于第一开口侧壁表面的第二绝缘层；位于第一开口内的第二连接层，所述第二连接层与所述第一连接层电连接。所述半导体结构的性能得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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