[发明专利]一种利用促进剂生长单层二硫化钼或二硒化钼的方法有效
| 申请号： | 202010770393.X | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN111893565B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 王珊珊;李守恒;徐淘;江天;程海峰 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/46 |
| 代理公司： | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人： | 邱轶 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明总体地涉及新型二维半导体材料制备技术领域，提供了一种利用促进剂生长单层二硫化钼或二硒化钼的方法，它使用化学气相沉积法(CVD)在促进剂碱土金属氯化物的作用下在氧化硅基底上直接生长大尺寸、高质量、高光致发光强度的二硫化钼(MoS |
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| 搜索关键词： | 一种 利用 促进剂 生长 单层 二硫化钼 二硒化钼 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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