[发明专利]氧化修整有效
| 申请号： | 202010772493.6 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN112397513B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | M·N·洛克莱;A-J·B·程;F·D·菲什伯恩;S·科尔克马兹;P·A·帕杜阿诺 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及氧化修整。描述了涉及使用氧气来修整半导体结构的方法、设备和系统。一种示例方法包含形成半导体结构的支撑结构，所述支撑结构具有工作表面上的第一硅酸盐材料。所述方法进一步包含在所述第一硅酸盐材料上形成第一氮化物材料。所述方法进一步包含在所述第一氮化物材料上形成第二硅酸盐材料。所述方法进一步包含在所述第二硅酸盐材料上形成第二氮化物材料。所述方法进一步包含穿过所述半导体结构形成开口。所述方法进一步包含在所述开口内沉积电极材料。所述方法进一步包含去除所述支撑结构的部分。所述方法进一步包含对所述电极材料的上部部分执行受控氧化修整。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 修整 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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