[发明专利]半导体存储器装置在审
| 申请号： | 202010776986.7 | 申请日： | 2020-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN112349728A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 川口元气;吉水康人;志摩祐介 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11524;H01L27/11556 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据一个实施例，一种半导体存储器装置包含：多个第一绝缘层；多个第一互连层，其与所述第一绝缘层交替堆叠；多个第二互连层，其与所述第一互连层相邻布置；和分离区域，其包含多个第一部分和多个第二部分，所述第一部分提供在所述第一互连层和所述第二互连层之间，所述第二部分从每个所述第一部分的外围突出。所述第二部分彼此连结。所述第一互连层和所述第二互连层通过所述第一部分和所述连结的第二部分彼此分开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
