[发明专利]半导体光元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010777177.8 | 申请日： | 2020-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN112346264A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 胜山智和 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 熊传芳;苏卉 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体光元件及其制造方法。半导体光元件的制造方法具有：在基板上形成第一半导体层的工序；在所述第一半导体层上形成掩模的工序；使用所述掩模从所述第一半导体层形成第一台面的工序；在所述第一半导体层中的从所述掩模露出的部分形成埋入所述第一台面的埋入层的工序；及从所述第一台面形成第二台面的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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