[发明专利]碳化硅晶体熔体生长装置在审
| 申请号： | 202010780048.4 | 申请日： | 2020-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN111676519A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 郑红军 | 申请（专利权）人： | 郑红军 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张延薇 |
| 地址： | 100000 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅晶体生长装置领域，具体而言，涉及一种碳化硅晶体熔体生长装置。碳化硅晶体熔体生长装置包括锅体和第一碳模块；所述第一碳模块设置在所述锅体的内壁上。本发明的有益效果是：通过在锅体的内壁上设置第一碳模块，通过第一碳模块的设置，增加了锅体内壁与锅体内部的熔体的接触面积，提高了碳的溶解效率，能够为碳化硅晶体生长提供了稳定的碳供应。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶体 生长 装置 | ||
【主权项】：
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