[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和计算机可读取记录介质

摘要

本发明涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法和基板处理程序。目的为不扩散处理室的粒子而在短时间内将处理室设为高真空状态。本发明具备：处理室；主排气线，其具备从处理室排出气体的第1配管、设置在第1配管的第1开度调整阀和开关阀、设置在第1配管的压力传感器；旁路排气线，其具备与主排气线连接的第二配管和设置在第二配管的第二开度调整阀；控制部，其根据压力传感器的信息调整第二开度调整阀的开度并将处理室减压到第一压力，当达到第一压力时关闭第二开度调整阀并开放开关阀和第一开度调整阀，将处理室减压到第二压力，当处理室达到第二压力时关闭开关阀和第一开度调整阀并调整第二开度调整阀的开度，使处理室成为处理压力。