[发明专利]一种纳米片状氧化亚硅及其复合负极材料有效

专利信息
申请号: 202010780626.4 申请日: 2020-08-05
公开(公告)号: CN111969196B 公开(公告)日: 2023-01-10
发明(设计)人: 王星明;王宁;杨娟玉;刘宇阳;桂涛;白雪;王武育;储茂友;韩沧;段华英 申请(专利权)人: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
主分类号: H01M4/48 分类号: H01M4/48;H01M4/62;H01M10/0525;C23C16/40;B82Y40/00;B82Y30/00
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地址: 101407 北京市怀*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种纳米片状氧化亚硅及其复合负极材料。该纳米片状氧化亚硅的化学式为SiOx,其中0.9<x<1.1;并且具有纳米片状颗粒形貌;其由激光粒度仪测试的中位粒径(D50)为100‑1000nm,由氮吸附测试的比表面积为50‑150m2/g。该纳米片状氧化亚硅颗粒平面方向的平均直径为100‑1000nm,厚度为10‑50nm,且所述颗粒平面方向的平均直径与颗粒厚度的比值大于5。所述复合负极材料包含所述纳米片状氧化亚硅及添加剂,其中纳米片状氧化亚硅在复合负极材料中的质量分数为5‑50%。本发明的纳米片状氧化亚硅具有电子、离子传输距离短的优势,在电极充放电过程中能够保持导电结构稳定。基于该纳米片状氧化亚硅的复合负极材料,可以减少导电组分的用量,在提高导电性和改善循环性能的同时保持高容量。
搜索关键词: 一种 纳米 片状 氧化 及其 复合 负极 材料
【主权项】:
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