[发明专利]OTP存储单元及OTP存储阵列器件在审
| 申请号： | 202010780644.2 | 申请日： | 2020-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN111916137A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 李弦;贾宬;冯一飞;王志刚 | 申请（专利权）人： | 珠海创飞芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 北京元合联合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11653 | 代理人： | 李非非 |
| 地址： | 519082 广东省珠海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种OTP存储单元，该OTP存储单元包括：衬底；形成在所述衬底上的一个选择MOS晶体管，该选择MOS晶体管包括依次形成在所述衬底之上的第一栅氧化层和第一栅极，还包括在所述第一栅极两侧的所述衬底中分别形成的第一源区和第一漏区；形成在所述衬底上的至少一个第一型存储MOS晶体管，每一所述第一型存储MOS晶体管的结构形成与所述第一源区串联的两个等效电容，所述两个等效电容并联。相应地，本发明还提供了一种OTP存储阵列器件。 | ||
| 搜索关键词： | otp 存储 单元 阵列 器件 | ||
【主权项】：
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