[发明专利]蚀刻方法及基板处理装置在审
| 申请号： | 202010781745.1 | 申请日： | 2020-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN112349585A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 渡部诚一;山田纮己;佐藤学 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/67;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578;H01J37/305 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种蚀刻方法，其对高度不同的多个基底层的损伤进行抑制，同时将各基底层上的氧化硅膜蚀刻至不同深度。该蚀刻方法包括准备基板的工序，该基板具有高度不同的第一基底层和第二基底层、形成在第一基底层和第二基底层上的氧化硅膜、以及形成在氧化硅膜上并且具有第一基底层和第二基底层上方的第二开口的掩模；使用第一气体对氧化硅膜进行蚀刻，使第一基底层暴露的工序；使用第二气体使沉积物在第一基底层上沉积，同时对第二基底层上方的氧化硅膜进行蚀刻的工序；以及使用第三气体将沉积在第一基底层上的沉积物去除，同时对第二基底层上方的氧化硅膜进行蚀刻的工序，其中，将使用第二气体进行蚀刻的工序和使用第三气体进行蚀刻的工序重复多次。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
