[发明专利]沟槽栅功率器件及提高沟槽栅器件栅极击穿电压的方法在审
| 申请号： | 202010783147.8 | 申请日： | 2020-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN111883584A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 卢烁今 | 申请（专利权）人： | 苏州华太电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28;H01L29/739;H01L29/78;H01L21/331;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽栅功率器件及提高沟槽栅器件栅极击穿电压的方法。所述沟槽栅功率器件包括半导体基材和栅极，所述半导体基材内分布有至少一个沟槽，所述栅极设置在所述沟槽内，所述沟槽内壁与栅极之间设置有栅介质层，并且在所述沟槽的深度方向上，所述栅极的顶端低于所述沟槽的槽口。本发明提供的沟槽栅功率器件，在所述沟槽的深度方向上，栅极的顶端比沟槽的槽口低0.1‑0.2μm，在测试栅极击穿电压时，沟槽的上边缘(即槽口位置处)的栅介质层两边不会施加电压，使得击穿转而在其他质量更好的栅介质层位置处发生，从而使实际的栅极击穿电压会得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 器件 提高 栅极 击穿 电压 方法 | ||
【主权项】：
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