[发明专利]电子器件制造装置及方法、半导体装置和显示器在审
| 申请号： | 202010783480.9 | 申请日： | 2016-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN111876751A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 奈良圭;中积诚;西康孝;中村有水;浪平隆男;高村纪充 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康;国立大学法人熊本大学 |
| 主分类号： | C23C16/448 | 分类号： | C23C16/448;C23C16/40;C23C16/458;C23C16/50;C23C16/515;C23C16/54;C23C24/04;H01J37/32;H01L21/48;H01L23/14 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 电子器件制造装置及方法、半导体装置和显示器。电子器件制造装置具备：输送部，其输送涂敷了感光性材料的、具有光的照射部分和未照射部分的基板；等离子体产生部，其具有配置于由所述输送部输送的所述基板的一个面侧的第1电极和第2电极，对所述第1电极与所述第2电极之间施加电压，使所述第1电极与所述第2电极之间产生等离子体；以及雾供给部，其使含有具有导电性的材料的雾通过所述第1电极与所述第2电极之间而供给至所述基板的所述一个面。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 制造 装置 方法 半导体 显示器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
