[发明专利]一种半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 202010786200.X | 申请日： | 2020-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN111739936B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 宋金星;丛茂杰;袁家贵 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件的元胞区中设置有屏蔽栅场效应晶体管，并在非元胞区中设置有超势垒整流器，并且超势垒整流器中第二介质层的上部介质层和下部介质层之间可以基于鸟嘴结构平滑连接，避免了在第二介质层的上部介质层和下部介质层之间存在尖端结构，并可以有效改善第二介质层的上部介质层的底部厚度过薄而容易引发漏电流的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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