[发明专利]一种薄硅片的制作方法在审
| 申请号： | 202010789873.0 | 申请日： | 2020-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN111785611A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 陈峰;陈振泉 | 申请（专利权）人： | 厦门陆远科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 泉州市博一专利事务所(普通合伙) 35213 | 代理人： | 方传榜 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬高新区(翔安*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种薄硅片的制作方法，涉及硅片加工领域，包括以下步骤：用抛光机台对硅片的第一面先进行抛光；对硅片进行清洗检查；在硅片的第一面贴上保护膜；对硅片的第二面进行研磨减薄；清除硅片上的保护膜；用贴蜡机将硅片的第一面贴至辅助硅片上，形成复合硅片；再对复合硅片上硅片的第二面进行抛光、清洗检验、脱蜡处理和清洗甩干。本发明的有益效果：本发明从抛光机台，抛光液，清洗方法，使用辅助硅片、蜡、uv蓝膜等多方面进行制造工艺的全面改进，可以生产出更薄的硅片，并且提高薄硅片的质量，加快生成速度，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
