[发明专利]一种半导体器件制作方法、半导体结构和半导体器件有效
| 申请号： | 202010793753.8 | 申请日： | 2020-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN112071762B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 张坤 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/78;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件制作方法、半导体结构和半导体器件，所述半导体器件包括至少一半导体结构，所述制作方法包括以下所述半导体结构的制作过程：提供一图案化晶圆；提供一伪晶圆；将所述图案化晶圆的背面与所述伪晶圆表面相键合；在所述图案化晶圆正面制作堆叠电路结构。采用本发明方法既可以作为基本半导体结构来防止器件单元在仓储过程中的翘曲变形，也可以作为零部件来与其他器件单元键合组装，另外本发明中在后期移除后的伪晶圆可以重复利用，能够降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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