[发明专利]闪存单元及其制造方法

摘要

本发明提供了一种闪存单元及其制造方法，其中，所述闪存单元的制造方法包括：首先，提供一具有隔离侧墙的基底，且所述隔离侧墙的底部存在凹陷；然后，在所述基底上形成第一接触刻蚀停止层，且所述第一接触刻蚀停止层还填充所述凹陷；其次，刻蚀所述第一接触刻蚀停止层，且所述凹陷中的第一接触刻蚀层停止层被保留；最后，在所述基底以及所述凹陷中的第一接触刻蚀层停止层上形成第二接触刻蚀停止层。本发明通过两次形成接触刻蚀停止层，可以改善隔离侧墙底部被覆盖不足的问题，进而可以解决闪存单元出现数据保存失败的问题。