[发明专利]籽晶生长的工艺方法在审
| 申请号： | 202010797866.5 | 申请日： | 2020-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN114075691A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 王全志 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京景闻知识产权代理有限公司 11742 | 代理人： | 么立双 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种籽晶生长的工艺方法，籽晶生长的工艺方法包括：将硅料放置于炉体内加热；对炉体加热至第一预定阶段，炉体内压力设定为90‑100mbar，炉体内进气量和出气量均小于10nl/min；对炉体加热至第二预定阶段，炉体内压力设定为250‑350mbar，炉体内进气量和出气量均小于10nl/min。根据本发明的籽晶生长的工艺方法，通过控制炉体内压力，且使进气量和出气量均小于10nl/min，由此可以降低气流流动速度，可以防止气流流向炉体的底部，从而可以避免气流激发炉体内底部的杂质，进而可以避免杂质与硅料融合，提升籽晶纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 籽晶 生长 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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