[发明专利]硅太阳能电池制备方法、硅晶片以及硅太阳能电池片在审
| 申请号： | 202010805325.2 | 申请日： | 2020-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN112885923A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 王菊松 | 申请（专利权）人： | 北京绿波静心新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0747;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 于小宁;焦玉恒 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开的实施例提供一种硅太阳能电池制备方法、硅晶片以及硅太阳能电池片。该一种硅太阳能电池制备方法，包括：准备硅晶片；以及在所述硅晶片上进行太阳能电池片制作工艺以形成太阳能电池片，其中，所述太阳能电池片制作工艺包括在所述硅晶片上进行成膜步骤，所述硅太阳能电池制备方法还包括在所述成膜步骤之前，在所述硅晶片上形成裂片用凹槽，且所述成膜步骤包括在所述硅晶片的形成有所述裂片用凹槽的一侧形成薄膜。该制备方法可以提高将太阳能电池裂片成小片后的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制备 方法 晶片 以及 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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