[发明专利]金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板

摘要

本发明提供了一种金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。本发明提供的金属氧化物阵列基板的制造方法包括在衬底基板上沉积形成栅金属层，并通过光刻工艺形成栅极；在栅金属层上沉积缓冲层，并在缓冲层上沉积半导体层，通过光刻工艺在栅极上方形成半导体图形；在半导体图形上形成源极和漏极；在缓冲层上通过原子沉积方式形成氧化铝层，氧化铝层至少覆盖半导体图形；在氧化铝层上沉积保护层，从而避免了金属电极被氧化，同时阻止了水或氢渗透进入沟道，提升了TFT的性能，提高了显示面板的显示质量。