[发明专利]半导体存储装置

摘要

本发明的实施方式提供一种能够适当地制造的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：衬底；多个第1导电层，排列在第1方向上，且在第2方向上延伸；多个第2导电层，在第3方向上与多个第1导电层相隔而排列在第1方向上，且在第2方向上延伸；及第1半导体层，具备第1部分、第2部分及第3部分，该第1部分在第1方向上延伸，且与多个第1导电层对向，该第2部分在第1方向上延伸，且与多个第2导电层对向，该第3部分与第1部分及第2部分连接。如果将在第2方向及第3方向上延伸且包含第3部分的至少一部分的剖面设为第1剖面，在第3部分中，将第1剖面中的第3方向的假想中心线的一侧及另一侧设为第1区域、第2区域，将第3部分的第1区域及第2区域中的第2方向的最大宽度设为第1及第2宽度，将第3部分的假想中心线上的第2方向的宽度设为第3宽度，则第3宽度比第1及第2宽度小。