[发明专利]测试阵列结构、晶圆结构与晶圆测试方法在审
| 申请号： | 202010815576.9 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN113629038A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 杨仓博;饶瑞修 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;G01R19/00;G01R31/26;G01R31/52 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 浦彩华;姚开丽 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测试阵列结构、晶圆结构与晶圆测试方法，测试阵列结构包括基板、第一胞、第二胞、第一与第二位线环以及四个字线。第一与第二胞中的每一个都具有依序排列且彼此连接在一起的第一漏极区、第一栅极区、源极区、第二栅极区以及第二漏极区。第一胞的第一漏极区与第一栅极区位于第一位线环内。第一胞的第二栅极区以及第二漏极区位于第一位线环与第二位线环之间。第二胞的第一漏极区与第一栅极区位于第二位线环内。第二胞的第二栅极区以及第二漏极区位于第一与第二位线环之外。第一胞的第二漏极区与第二胞的第一漏极区位于其中二个彼此最相邻的字线之间。借此，能够测试晶圆结构在二个不同方向上的电流泄漏，从而确认晶圆结构的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 阵列 结构 方法 | ||
【主权项】：
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