[发明专利]一种具有平衡电流密度UMOS及其制作方法在审
| 申请号： | 202010815889.4 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN111952180A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 陈白杨;黄传伟;诸建周 | 申请（专利权）人： | 江苏东海半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 叶栋 |
| 地址： | 214142 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明涉及功率器件技术领域，具体涉及一种具有平衡电流密度UMOS及其制作方法，旨在解决现有技术中不能平衡电流密度的问题，其技术要点在于：S1：选用N型衬底+N |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 平衡 电流密度 umos 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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