[发明专利]一种CdSe量子点发光二极管器件的制备方法在审
| 申请号： | 202010829320.3 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN111952476A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 杨尊先;郭太良;叶雨亮;徐雷;黄建华;陈恩果;吴朝兴;陈耿旭;李福山;余路成 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L51/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 丘鸿超;蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种CdSe量子点发光二极管器件的制备方法，包括以下步骤：选取ITO玻璃作为发光二极管的衬底；旋涂PEDOT：PSS溶液，退火干燥形成薄膜；配置空穴传输层前驱体溶液，并旋涂在PEDOT：PSS混合溶液膜层上，形成空穴传输层；配置CdSe量子点溶液并旋涂在空穴传输层上，形成CdSe量子点发光中心层；配置氧化石墨烯的乙二醇溶液并旋涂在量子点发光中心层上；配置ZnO溶液并旋涂在氧化石墨烯膜层上，形成氧化锌的电子传输层；将银蒸镀到样片上，形成银电极，制得使用氧化石墨烯平衡载流子注入的CdSe量子点发光二极管。该方法不仅在降低量子点层缺陷的同时提高了器件的性能，而且制备工艺简单，制作成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cdse 量子 发光二极管 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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