[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010830162.3 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN112563243A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 黄柏瑜;林诗哲;王朝勋;赵高毅;王美匀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体装置，源极/漏极位于基板上。源极/漏极接点位于源极/漏极上。第一通孔位于源极/漏极接点上。第一通孔具有横向凸出的底部，与位于横向凸出的底部上的顶部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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