[发明专利]MOS型功率器件在审
申请号: | 202010831136.2 | 申请日: | 2020-08-18 |
公开(公告)号: | CN114078831A | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 张开航;马云洋 | 申请(专利权)人: | 苏州秦绿电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/467 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 王健 |
地址: | 215011 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开一种MOS型功率器件,包括:位于环氧封装体中的MOSFET芯片、快恢复二极管、陶瓷导热本体、源极管脚、漏极管脚和栅极管脚,此源极管脚、漏极管脚和栅极管脚从环氧封装体内向外延伸出;源极管脚与第一导电条电连接,所述漏极管脚与导电块另一端电连接,所述栅极管脚与第二导电条电连接;陶瓷导热本体具有一从环氧封装体端面延伸出的散热板,位于环氧封装体内的陶瓷导热本体具有至少一个通孔;所述快恢复二极管的正极和负极均通过导电金线连接到第一导电条、导电块;陶瓷导热本体与MOSFET芯片相背的侧表面从环氧封装体内延伸出。本发明有利于进一步提高器件的功率,也便于热量扩散,防止水汽进入器件内部,便于热量扩散同时,提高了器件整体结构稳定性。 | ||
搜索关键词: | mos 功率 器件 | ||
【主权项】:
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