[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202010832143.4 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN112038292A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 唐怡 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/3115 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件的制造方法，该方法涉及半导体制造领域。该半导体器件的制造方法包括提供一半导体衬底，半导体衬底上制作有PMOS器件和NMOS器件，PMOS器件制作在PMOS区域，NMOS器件制造在NMOS区域；在半导体衬底上沉积氮化硅层；保护NMOS区域，露出PMOS区域；向PMOS区域注入离子，去除PMOS器件区域上氮化硅层的拉应力；解决了氮化硅层产生的拉应力会影响PMOS器件性能的问题；达到了降低氮化硅薄膜应力对PMOS器件的不良影响的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
