[发明专利]失效位元的修补方法及装置有效
| 申请号： | 202010833678.3 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN114078564B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 陈予郎 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开是关于一种失效位元的修补方法及装置，涉及集成电路技术领域，可以应用于对芯片中的失效位元进行修补的场景。该方法包括：确定待修补芯片中包括多个目标修补区域的待修补区域；采用备用电路对各目标修补区域中的第一失效位元进行第一修补处理；执行第二失效位元的位置确定步骤以确定第二失效位元的位元位置，并对第二失效位元进行第二修补处理；确定各目标修补区域的未修补失效位元，并递归执行第二失效位元的位置确定步骤以得到未修补失效位元的测试修补位置，以根据测试修补位置对未修补失效位元进行第三修补处理。本公开提出最佳化备用电路分派的三个不同阶段的失效位元修补处理方案，可以得到针对芯片中失效位元的最佳修补方案。 | ||
| 搜索关键词： | 失效 位元 修补 方法 装置 | ||
【主权项】：
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