[发明专利]InSb晶片处理装置及处理方法在审
| 申请号： | 202010834314.7 | 申请日： | 2020-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN112011832A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 柏伟;徐强强;刘铭;吴卿 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/52 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 华枫 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种InSb晶片的处理装置及方法。晶片处理装置用于提高待处理晶片的质量，处理装置包括：支架和容纳管，支架具有多个用于放置待处理晶片的放置槽，支架放置于容纳管的腔体内，腔体内具有用于放置待补偿元素物质的补偿区。根据本发明的InSb晶片处理装置，可以将多个待处理晶片放置于支架的多个放置槽内，将待补偿元素物质放置于补偿区，将承载有待处理晶片的支架放置于腔体内，通过对晶片处理装置进行加热，可以改善待处理晶片的化学计量比，而且，可以释放待处理晶片的残余应力，提高了晶格质量，并有利于优化待处理晶片的平整度，从而提高了待处理晶片的整体质量。 | ||
| 搜索关键词： | insb 晶片 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
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