[发明专利]半导体装置结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010837087.3 | 申请日： | 2020-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN112687621A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 杨建勋;林立德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 闫华;傅磊 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供半导体装置结构及其形成方法。方法包含形成在半导体基底上形成虚设栅极堆叠，且在虚设栅极堆叠的侧壁上形成间隙物元件。间隙物元件具有内间隙物和虚设间隙物，且内间隙物在虚设间隙物与虚设栅极堆叠之间。方法也包含形成介电层环绕间隙物元件和虚设栅极堆叠，且以金属栅极堆叠取代虚设栅极堆叠。方法更包含移除间隙物元件的虚设间隙物以在内间隙物与介电层之间形成凹槽。此外，方法包含形成密封元件以密封凹槽，使得金属栅极堆叠与介电层之间形成密封孔洞。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
