[发明专利]一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法有效
| 申请号： | 202010840813.7 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN111976039B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 王春生;庞从武 | 申请（专利权）人： | 苏州安洁科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B28D5/00;B28D7/04 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 王会 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明一种无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法，通过纳米晶圆刀冲压装置进行冲压，纳米晶圆刀冲压装置包括沿走料方向依次平行排布的十四根压轴，第四压轴底轴与第七压轴上轴降低轴面，与其它轴面和料带不接触；纳米晶走料方式为从下料开始全程直走，无弯折走料。本发明提供的无损耗电感的纳米晶圆刀冲压方法，将常规压轴换成与料带不接触的降面轴，减少压轴对纳米晶造成的压力，避免碎磁，纳米晶走料始终保持直线走料，底轴叠刀，有效避免因角度弯折拉料造成的碎磁等，走料更为平稳，减少不良外观现象，纳米晶走料全程降低各压轴之间的张力，避免张力过大造成碎磁，共通过14根轴即可满足制程需求，比常规采用的16根轴少用2轴，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 损耗 电感 纳米 晶圆刀 冲压 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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