[发明专利]一种全有机高介电、高击穿强度PVDF基介电薄膜制备方法在审
| 申请号： | 202010841046.1 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN111995779A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 卢红伟;张慧龙;张木华;范巧兰;李毅峰;苏伟涛;郭筱洁 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08J3/24;C08L27/16;C08L39/06 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 陆永强 |
| 地址： | 310018*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全有机高介电、高击穿强度PVDF基介电薄膜制备方法，包括以下步骤：S10，制备改性的聚偏氟乙烯，即MD‑PVDF；S20，制备交联的聚偏氟乙烯，即XL‑PVDF；S30，制备PVDF/XL‑PVDF介电薄膜。本发明提供了一种既能提高介电常数，又使击穿强度不至于大幅下降的，全有机介电薄膜的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 高介电 击穿 强度 pvdf 基介电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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