[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010841675.4 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN113410292A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 野村一城 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式提供可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置为下述半导体装置具备：具有基板底面和基板上表面且在基板底面具有凹部的半导体基板、设置于凹部之上的半导体元件以及设置于凹部内的第1电极，凹部具有凹部侧面和凹部上表面，凹部侧面与凹部上表面所成的角为90度以上，第1电极的膜厚为凹部的深度的1/2以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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