[发明专利]功率半导体模块以及用于制造功率半导体模块的方法在审
| 申请号： | 202010842505.8 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN112420683A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | C·科赫;S·克劳克;M·N·闵采尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L21/50;H01L23/04;H01L23/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种功率半导体模块包括：功率半导体芯片；电耦合到功率半导体芯片的外部接触部，所述外部接触部被配置成能够载送交流电流，并且所述外部接触部包括开口；以及电流传感器组件，所述电流传感器组件包括电流传感器，并且至少部分地布置在所述开口中，其中，所述电流传感器被配置成能够测量交流电流。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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