[发明专利]针对动态耦合故障模拟极端环境下的测试方法和装置在审

专利信息
申请号: 202010844307.5 申请日: 2020-08-20
公开(公告)号: CN112098770A 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 李斌 申请(专利权)人: 深圳市宏旺微电子有限公司
主分类号: G01R31/01 分类号: G01R31/01
代理公司: 深圳市诺正鑫泽知识产权代理有限公司 44689 代理人: 林国友
地址: 518000 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请提供了一种针对动态耦合故障模拟极端环境下的测试方法和装置,运用于半导体芯片测试技术领域,测试方法包括,调用数据寄存器,对存储芯片中各个逻辑地址对应的单元写入第一数据值,并对应读取第一数据值,以进行AF测试;按照存储芯片的地址递增顺序或者地址递减顺序,以3*3矩阵为间隔向矩阵中心对应的逻辑地址中写入第二数据值、读取第二数据值、再写入第三数据值,并实时进行动态耦合故障测试;遍历各个地址读取第三数据值,判断从各个地址对应的单元中读取的第三数据值与写入时的第三数据值是否一致,若是,则存储芯片无故障,实现在极端的条件下对存储芯片进行测试,更容易将耦合等故障测试出来,达到严加筛选芯片的目的。
搜索关键词: 针对 动态 耦合 故障 模拟 极端 环境 测试 方法 装置
【主权项】:
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