[发明专利]一种利用超长纳米线制备电化学纳米点阵列电极的方法有效
| 申请号： | 202010844645.9 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN111948267B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 耿延泉;方卓;闫永达;胡振江 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30;G01N27/48;B82Y40/00;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人： | 高媛 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种利用超长纳米线制备电化学纳米点阵列电极的方法，属于纳米电极制备技术领域。本发明是为了简单高效可重复地制备纳米点阵列电极，在含微米沟槽阵列的硅模板上浇注PDMS；在固化完成的PDMS模具上浇注树脂，得到带有微米沟槽阵列的树脂块；在树脂块上沉积一层金属薄膜，用树脂包埋，进行纳米切片，将单个含纳米线阵列的树脂薄片或多个与空树脂薄片交替堆叠的含纳米线阵列的树脂薄片转移至基底上，将导线搭接固定在纳米线阵列的表面，加入树脂封装，将未搭接导线的一端修块抛光，得到纳米点阵列电极。本发明避免了邻近电极的电容和扩散层重叠，且通过对纳米线端面再次修块抛光可获得新的干净的纳米点阵列，有利于纳米点阵列电极的长期重复使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 超长 纳米 制备 电化学 阵列 电极 方法 | ||
【主权项】：
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