[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202010846262.5 申请日: 2020-08-21
公开(公告)号: CN113363228A 公开(公告)日: 2021-09-07
发明(设计)人: 井上大辅 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 牛玉婷
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 实施方式提供能够提高半导体芯片与金属连接件的接合部的可靠性的半导体装置。实施方式的半导体装置具有金属连接件。该金属连接件具有上表面、与电极对置的第一下表面、第一端面、第二端面、以及将第一端面与第二端面相连的第二下表面。在与半导体芯片的第一面或者第二面平行的第一方向上,电极的端面位于第一端面与第二端面之间。第二下表面与电极之间的距离比第一下表面与电极之间的距离大。接合部件具有设于第一下表面与电极之间的第一部分、以及设于第二下表面与电极之间且覆盖第二端面且比第一部分厚的第二部分。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
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