[发明专利]多位半导体存储单元、存储阵列及其操作方法在审
| 申请号： | 202010861590.2 | 申请日： | 2020-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN114121071A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 赵立新;李杰;张浩然 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/36 | 分类号： | G11C11/36;G11C11/40;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多位半导体存储单元、存储阵列及其操作方法，其中，所述多位半导体存储单元，包括：钉扎二极管、控制晶体管和浮置扩散区，利用所述钉扎二极管进行电荷的存储；其中，所述钉扎二极管由：光电二极管的N阱区和P型表面掺杂区组成，或由光电二极管的P阱区和N型表面掺杂区组成。本发明中采用光电二极管的N阱区或光电二极管的P阱区作为存储电荷单元。在本发明所提供的技术多位半导体存储单元中，存储单元可存储的电荷量由掺杂剂量决定，因此存储量可控。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 单元 阵列 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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