[发明专利]半导体反应腔室及半导体加工设备有效
| 申请号： | 202010862511.X | 申请日： | 2020-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN111968901B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 刘建 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/18 | 分类号： | H01J37/18;H01J37/32;H01L21/67;C23C14/54;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 施敬勃 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体反应腔室及半导体加工设备，半导体反应腔室包括腔体、静电卡盘、功能接线、抽气装置和/或充气装置；腔体围成内腔；静电卡盘位于内腔中，静电卡盘包括基体和功能层，功能层设置于基体上，且基体与功能层通过粘接固定，基体开设有接线通道，功能层覆盖在接线通道的端口，且与基体围成容纳腔；功能接线穿过接线通道，且与功能层接触；抽气装置与容纳腔连通且用于对容纳腔抽真空；和/或，充气装置与容纳腔连通且用于对容纳腔充气。本方案能够解决由于半导体反应腔室内部与静电卡盘的容纳腔内部的气压不均衡，导致静电卡盘各部件的连接可靠性较低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 反应 加工 设备 | ||
【主权项】：
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