[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202010862567.5 申请日: 2020-08-25
公开(公告)号: CN113410289A 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 徐成吉 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H01L29/423 分类号: H01L29/423;H01L29/06;H01L27/088
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮;黄纶伟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体装置。公开了一种包括一个或更多个晶体管的半导体装置。该半导体装置包括:第一有源区,其设置在基板的阱区上;多个虚设有源区,其围绕第一有源区设置;以及栅极,其设置成横穿第一有源区,其中栅极的一部分设置为与多个虚设有源区中的至少一个交叠,并且电联接到多个虚设有源区中的至少一个。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
暂无信息
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