[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 202010862567.5 | 申请日: | 2020-08-25 |
公开(公告)号: | CN113410289A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 徐成吉 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L29/06;H01L27/088 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 半导体装置。公开了一种包括一个或更多个晶体管的半导体装置。该半导体装置包括:第一有源区,其设置在基板的阱区上;多个虚设有源区,其围绕第一有源区设置;以及栅极,其设置成横穿第一有源区,其中栅极的一部分设置为与多个虚设有源区中的至少一个交叠,并且电联接到多个虚设有源区中的至少一个。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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