[发明专利]阵列基板的制备方法在审
| 申请号： | 202010867651.6 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN111883483A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 刘甲定;吴南辉;杨永光;苏文学;齐之刚 | 申请（专利权）人： | 维信诺科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 南京科知维创知识产权代理有限责任公司 32270 | 代理人： | 梁珺 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种阵列基板的制备方法，所述制备方法包括：S1、提供衬底基板；S2、在所述衬底基板一侧的表面上形成有源层；S3、在所述有源层远离所述衬底基板一侧的表面上形成功能膜层；S4、在上述步骤之后，通过蚀刻工艺在所述开孔区形成凹槽，所述凹槽自上而下贯穿所述功能膜层以及所述有源层，其中，所述凹槽位于所述开孔区内。本发明提供一种阵列基板的制备方法，通过在有源层远离衬底基板的一侧表面上先制备各功能层，再通过蚀刻工艺蚀刻各功能层和有源层形成凹槽，凹槽位于阵列基板的开孔区内，克服了现有的阵列基板制备时，先蚀刻有源层，再制备各功能层，造成开孔区两侧的有源层沟道特性异常的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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