[发明专利]电子设备在审
| 申请号： | 202010870365.5 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112993146A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 李泰荣;金国天;金秀吉;文民锡;林钟久;郑星雄 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 王建国;李琳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 电子设备可以包括半导体存储器，并且所述半导体存储器可以包括多层合成反铁磁(Multi SAF)结构，该结构包括第一铁磁性层、第二铁磁性层以及插置在所述第一铁磁性层与第二铁磁性层之间的间隔物层，其中所述间隔物层可以包括n个非磁性层和n‑1个磁性层，它们被设置为使得该n个非磁性层中的每一个与该n‑1个磁性层中的每一个交替地层叠，其中n表示等于或大于3的奇数，其中n‑1个磁性层和n个非磁性层可以被配置为与第一铁磁性层和第二铁磁性层中的至少一个产生反铁磁交换耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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