[发明专利]初始阵列基板及其制作方法、检测方法在审
| 申请号： | 202010873460.0 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN111968946A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 刘文慧;闫娟;李保生;吴军;李凯鑫 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;绵阳京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 姜春咸;冯建基 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例提供一种初始阵列基板的制作方法，包括：提供初始基板，所述初始基板包括显示区、开孔区、隔离区和检测区，检测区位于显示区的外围，隔离区围绕开孔区设置；在隔离区形成隔离柱过渡图形层，隔离柱过渡图形层包括至少一个过渡隔离柱；在检测区形成测试导电层，测试导电层包括第一测试导电图形和第二测试导电图形，第一测试导电图形的形状与第二测试导电图形的形状相同；形成绝缘遮挡层，绝缘遮挡层覆盖第二测试导电图形；对形成有绝缘遮挡层的初始基板进行刻蚀，以使得过渡隔离柱被刻蚀形成为隔离柱，隔离柱中部的横截面积小于隔离柱顶部和底部的横截面积。本公开实施例还提供一种初始阵列基板、一种初始阵列基板的检测方法。 | ||
| 搜索关键词： | 初始 阵列 及其 制作方法 检测 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;绵阳京东方光电科技有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;绵阳京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010873460.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
