[发明专利]基板处理装置、气柜以及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202010875155.5 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112563157A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 锅田和弥;竹胁基哉 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 孙明轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明防止以温度为起因的气体流量控制性的降低。本发明的基板处理装置具有：对基板进行处理的处理炉；向处理室供给对基板进行处理的处理气体的处理气体供给路；控制向处理室供给的处理气体的量的处理气体供给控制部；对处理气体供给路或处理气体供给控制部的至少一部分进行加热的加热器；和将处理气体供给路、处理气体供给控制部、和加热器收纳的气柜。气柜具有：将气柜外的环境气体向气柜内吸入的吸入口；与排气管道连接并将气柜内的环境气体向排气管道排出的排气口；冷却气柜内的环境气体并且测定或监视环境气体的温度的温度控制设备；和探测泄漏到气柜内的处理气体的气体泄漏传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 以及 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
