[发明专利]集成电路工艺中的分段沟槽形成方法有效
| 申请号： | 202010877540.3 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112038239B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 郭晓波 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/768;G03F1/44;G03F1/70 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成电路工艺中的分段沟槽形成方法，在衬底上生长目标膜层；在掩膜版上设计沟槽图形和辅助图形，沟槽图形上设有沟槽分段处，辅助图形位于沟槽分段处的沟槽图形内；用掩膜版在目标膜层上形成光刻胶图形，判断在沟槽分段处的光刻胶是否将沟槽图形完全切割开，若没有将沟槽图形完全切割开，则重新设计辅助图形；利用形成的光刻胶图形作为刻蚀阻挡层，对目标膜层进行刻蚀，形成由目标膜层组成的分段沟槽。本发明解决了传统工艺中由于沟槽末端图形收缩导致的沟槽末端间距变小的问题，工艺简单、成本低，通过调节辅助图形的尺寸，对沟槽分段处的沟槽末端间距进行精确控制，解决了传统沟槽切割工艺中沟槽末端间距难以精确控制的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 工艺 中的 分段 沟槽 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
