[发明专利]控制表面形态的化学气相沉积层制备方法、装置及设备

摘要

本发明提供一种控制表面形态的化学气相沉积层制备方法、装置及设备，属于半导体技术领域。控制表面形态的化学气相沉积层制备方法，包括：获取并响应于反应开始指令，根据预设起始温度调节化学气相沉积炉的加热器温度至初始温度；根据初始温度以及反应的吸放热状态，调节化学气相沉积炉的加热器温度。本发明的目的在于提供一种控制表面形态的化学气相沉积层制备方法、装置及化学沉积反应设备，能够根据化学沉积反应的吸放热状态对加热器温度进行调节，从而提高炉内化学沉积形成的薄膜的厚度均匀性。