[发明专利]一种高利用率的电阻并联结构在审

专利信息
申请号: 202010884261.X 申请日: 2020-08-28
公开(公告)号: CN111985171A 公开(公告)日: 2020-11-24
发明(设计)人: 李飞;王志利 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G06F30/32 分类号: G06F30/32
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 201315*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种高利用率的电阻并联结构,包括:第一控制开关阵列,用于通过接通开关管接入所连接的电阻阵列的左侧若干电阻;第二控制开关阵列,用于通过接通开关管接入所连接的电阻阵列的右侧若干电阻;电阻阵列,用于在所述第一控制开关阵列和第二控制开关阵列的控制下将左侧若干电阻与右侧若干电阻接入以进行并联,通过本发明,可提高电阻并联结构的电阻利用率。
搜索关键词: 一种 利用率 电阻 并联 结构
【主权项】:
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