[发明专利]获取晶圆边缘的导通电阻的方法有效
| 申请号： | 202010892501.0 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN112051450B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 李旭东;杨启毅;韩斌;武浩 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种获取晶圆边缘的导通电阻的方法，涉及半导体制造领域。该方法包括利用若干个样本晶圆，建立导通电阻漂移值与偏移距离的拟合函数模型，偏移距离是晶圆边缘与测量夹具的中心区域内预定位置之间的距离；获取待测试晶圆边缘的导通电阻，记为初始导通电阻；获取待测试晶圆边缘对应的偏移距离；将待测试晶圆边缘对应的偏移距离带入拟合函数模型，得到待测试晶圆的导通电阻漂移值；根据初始导通电阻和导通电阻漂移值，得到待测试晶圆边缘的导通电阻校正值；解决了目前由于测量夹具本身特性，容易令测得的晶圆边缘的导通电阻偏大的问题；达到了校正晶圆边缘的导通电阻，减小测试误差，提高测试数据的稳定性、准确性的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 获取 边缘 通电 方法 | ||
【主权项】：
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