[发明专利]一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置及其工艺

摘要

本发明公开了一种制备半导体材料的金属有机源喷雾装置，包括壳体，所述壳体上开设有反应室，所述反应室内固定设置有固定块，所述固定块呈L型设置，所述固定块的横板紧贴反应室的一侧侧壁设置，且所述固定块的纵板上设有与之对应的固定机构，所述固定块的横板内设有液体腔，所述壳体的两侧侧壁上对称固定设置有两个输液口，两个所述输液口均贯穿壳体和固定块的侧壁与液体腔连通设置，所述固定块的侧壁上还固定设置有抽真空机，所述抽真空机的输出端固定设置有两根抽气管。本发明能够在反应过程中自动的循环进行抽真空和通入气体交替操作，保证了反应的真空环境的同时稳定反应时的气压，提高了半导体制备的成品率。