[发明专利]双倍速率测试模式参数配置方法及存储介质有效
| 申请号： | 202010894529.8 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN112086124B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 马力 | 申请（专利权）人： | 澜智集成电路（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家港市张家港经济技术开发*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种双倍速率测试模式参数配置方法及存储介质。所述方法包括步骤：配置待测存储器的芯片的测试电压；配置所述待测存储器的芯片的时序信号；界定所述时序信号的格式；根据所述测试电压、所述时序信号及所述格式建立算法模型；以及配置错误捕捉器。本申请通过从电压配置、时序的配置、格式配置、模型配置和错误捕做存储器配置等来满足双数据速率模式的测试需求。DDR模式是针对存储器芯片高速测试而设计的，在DDR测试模式下，测试速度最高可达400Mhz，其测试的最高速度是SDR的2倍。 | ||
| 搜索关键词： | 双倍 速率 测试 模式 参数 配置 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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